[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种LED芯片的制备方法，包括步骤S11提供LED芯片基板、第一金属导电层、第二金属导电层和第三金属导电层和绝缘保护层，LED芯片基板包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底上的第一外延层堆和第二外延层，绝缘保护层用于将LED芯片基板、第一金属导电层、第二金属导电层和第三金属导电层的绝缘边界和绝缘沟道填平；步骤S12蚀刻绝缘保护层直到露出第一外延层堆和第二外延层堆的透明导电层、以及第三金属导电层；步骤S13图形化沉积金属连接层；步骤S14图形化沉积绝缘反射层。该LED芯片的制备方法增强了器件的可靠性和稳定性。

主权项

一种LED芯片的制备方法，包括如下步骤：步骤S11：提供LED芯片基板、设于所述LED芯片基板上的第一金属导电层、第二金属导电层和第三金属导电层、以及设于所述LED芯片基板上的绝缘保护层，所述LED芯片基板由下至上包括蓝宝石衬底、设于所述蓝宝石衬底上且间隔设置的第一外延层堆和第二外延层，所述第一外延层堆和第二外延层堆均包括依次设置的N型外延层、设置在所述N型外延层的上表面一端的多量子阱层和P型外延层、以及透明导电层，所述第一外延层堆和第二外延层堆的各部分厚度均相同，所述第一金属导电层设置在所述第一外延层堆的N型外延层的上表面另一端；所述第三金属导电层设置在所述第二外延层堆的N型外延层的上表面另一端；所述第二金属导电层设置在所述第二外延层堆的透明导电层上表面，所述绝缘保护层用于将所述LED芯片基板、第一金属导电层、第二金属导电层和第三金属导电层的绝缘边界和绝缘沟道填平，从而使所述绝缘保护层的顶面形成平面；步骤S12：蚀刻所述绝缘保护层直到露出所述第一外延层堆的透明导电层、所述第二外延层堆的透明导电层、以及所述第三金属导电层的上表面，从而使所述绝缘保护层的上表面、第一外延层堆和第二外延层堆的透明导电层和第三金属导电层的上表面平齐；步骤S13：在所述第一外延层堆的透明导电层、绝缘保护层和第三金属导电层的上表面图形化沉积金属连接层，从而串联所述LED芯片基板上的相邻的两个独立的LED芯片；步骤S14：在所述绝缘保护层、金属连接层、第一外延层堆和第二外延层堆上图形化沉积绝缘反射层，使所述绝缘反射层的顶端高于所述金属连接层的上表面，且不高于所述第一金属导电层的上表面。