[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711104705.8 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109786457B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一鳍部，第二区域具有第二鳍部；采用外延工艺在所述第一鳍部表面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层内有第一掺杂离子；进行第一退火处理，使所述第一掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一鳍部；采用沉积工艺在所述第二鳍部表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层内有第二掺杂离子；进行第二退火处理，使所述第二掺杂层中的掺杂离子扩散进入第二鳍部。所述半导体器件的形成方法中通过外延掺杂工艺和固态源掺杂工艺相结合形成不同的掺杂层，减小了对隔离层的损耗，通过扩散实现对鳍部的掺杂，减少了对鳍部的损伤，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域具有第一鳍部，第二区域具有第二鳍部；采用外延工艺在所述第一鳍部表面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层内有第一掺杂离子；进行第一退火处理，使所述第一掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一鳍部；采用沉积工艺在所述第二鳍部表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层内有第二掺杂离子；进行第二退火处理，使所述第二掺杂层中的掺杂离子扩散进入第二鳍部。
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