[发明专利]一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

摘要

本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。

主权项

一种低银钎料，其特征在于：按质量百分比计，该钎料的组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。