[发明专利]钎焊陶瓷的方法在审
申请号: | 201711105336.4 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN109773198A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 计富宝;武亚楠 | 申请(专利权)人: | 河南智联寰宇知识产权运营有限公司 |
主分类号: | B22F9/08 | 分类号: | B22F9/08;C22C14/00;C22C30/02;B23K103/16 |
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地址: | 450001 河南省郑州市高新技*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提供了一种钎焊陶瓷的方法,其步骤包括制作箔状钛基钎料,采用等离子体增强化学气相沉积真空装置对陶瓷基复合材料进行氮气处理,将所述箔状钛基钎料置于至少两块所述氮气处理后的陶瓷基复合材料之间,得到待焊材料,将所述待焊材料置于真空钎焊炉中进行真空钎焊,完成陶瓷材料的钎焊。所述钎焊陶瓷的方法能改善了钎焊层与陶瓷基复合材料间的润湿性和钎焊接头的强度。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷基复合材料 钎焊陶瓷 待焊材料 氮气处理 箔状钛 基钎料 等离子体增强化学气相沉积 真空钎焊炉 钎焊接头 陶瓷材料 真空钎焊 真空装置 钎焊层 润湿性 钎焊 制作 | ||
【主权项】:
1.一种钎焊陶瓷的方法,其特征在于,它包括以下步骤:(1)制作箔状钛基钎料,所述箔状钛基钎料的组织成分包括金属相和Si3N4颗粒,所述金属相由以下质量百分数的元素组成:Zr 10%~20%、Ti 40%~55%、Ni 3.0%~7.8%,其余为Cu;(2)将陶瓷基复合材料置于丙酮溶液中超声清洗后放置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,抽真空后通入氮气,调节所述等离子体增强化学气相沉积真空装置的压强为200 Pa~400 Pa、温度为100℃~400℃、射频功率为100 W~200 W对置于其中的所述陶瓷基复合材料进行氮气处理,得到氮气处理后的陶瓷基复合材料;其中,所述陶瓷基复合材料为二氧化硅陶瓷基复合材料、二氧化硅玻璃陶瓷或石英纤维编织陶瓷基复合材料;(3)将所述箔状钛基钎料置于至少两块所述氮气处理后的陶瓷基复合材料之间,得到待焊材料,将所述待焊材料置于真空钎焊炉中,抽真空处理并升温至600℃~1400℃,在600℃~1400℃温度下保温5 min~30 min,然后以8℃/min~10℃/min的降温速度将真空钎焊炉冷却至室温,完成陶瓷基复合材料的钎焊。
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