[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711105357.6 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109427682B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 翁桐敏;吴宗翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其形成方法。半导体元件的形成方法包含：形成至少一栅极结构于基材上。栅极结构包含栅电极。栅极结构的栅电极包含第一导电材料；以及沿着栅极结构的栅极结构的侧壁而形成第一介电材料的第一介电层。第一介电材料的第一介电层包含具有一掺杂浓度的氟的氟掺杂氮碳氧化硅或氟掺杂碳氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：形成至少一栅极结构于一基材上，该至少一栅极结构包含一栅电极，且该栅电极包含一第一导电材料；以及沿着该至少一栅极结构的一侧壁而形成一第一介电材料的一第一介电层，该第一介电材料的该第一介电层包含具有一掺杂浓度的氟的一氟掺杂氮碳氧化硅或一氟掺杂碳氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
