[发明专利]消除InP晶片微缺陷的方法在审
| 申请号： | 201711105499.2 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107829142A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵有文;段满龙;卢伟;谢辉 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 张超艳,李琳 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除InP晶片微缺陷的方法，包括将InP晶片放入石英管内，在石英管内放入红磷；对装有InP晶片和红磷的石英管进行封泡；对封泡后的石英管进行抽真空，采用氢氧焰烧结封口；将封口后的石英管放入退火炉内退火。上述消除InP晶片微缺陷的方法，在P气氛下退火改变其化学配比状况，调节缺陷、杂质状态和晶体特性，降低微缺陷密度，提高晶片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 inp 晶片 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种消除InP晶片微缺陷的方法，其特征在于，包括：将InP晶片放入石英管内，在石英管内放入红磷；对装有InP晶片和红磷的石英管进行封泡；对封泡后的石英管进行抽真空，采用氢氧焰烧结封口；将封口后的石英管放入退火炉内退火。
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