[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，采用全面离子注入工艺对各个所述晶体管区进行阈值电压调整离子注入，来形成阈值电压调整层，调节形成的晶体管的阈值电压和漏电流，同时可以省略栅极多晶硅的一次需要有掩膜版掩膜的离子注入步骤，并可采用具有第一导电类型的第一阱结构替代半导体衬底的低压PMOS晶体管区等晶体管区中的第一导电类型的普通阱结构，省去用掩膜版掩膜形成低压PMOS晶体管中的第一导电类型的普通阱结构的工艺，由此可以节约两张光刻掩膜版，改善资源浪费，简化工艺。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有多个晶体管区的半导体衬底，采用第一导电类型的离子对所述半导体衬底进行第一阱离子注入，以至少在一个晶体管区中形成具有第一导电类型的第一阱结构；采用第二导电类型的离子对所述半导体衬底进行第二阱离子注入，以至少在一个晶体管区中形成具有第二导电类型的第二阱结构，且所述第二阱结构浅于所述第一阱结构；采用全面离子注入工艺对各个所述晶体管区进行阈值电压调整离子注入，以形成阈值电压调整层；在各个所述晶体管区的表面上形成相应的栅极堆叠结构；在各个所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成源区和漏区，以在各个所述晶体管区形成相应的晶体管。