[发明专利]一种改善光刻填充材料平坦度的方法有效
申请号: | 201711106966.3 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN107910293B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 官锡俊;郭晓波 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善光刻填充材料平坦度的方法,包括:步骤一、在晶圆的基底涂布上涂布厚度为TH2nm的填充材料,烘焙成膜;步骤二、采用涂胶显影机台在填充材料上涂布一层非化学放大型光刻胶,烘焙成膜;步骤三、将晶圆送入曝光机台中,用不同区域透光率不同的掩膜版对晶圆的非化学放大型光刻胶进行曝光,对晶圆的非化学放大型光刻胶进行显影;步骤四、对晶圆的表面进行一次蚀刻处理,晶圆的表面整体减薄相同厚度;步骤五、除去晶圆表面剩余的非化学放大型光刻胶,使得填充材料的平均厚度降至目标厚度TH1nm。本发明改善了由于晶圆的基底的厚度差异导致填充材料涂布平坦度较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 光刻 填充 材料 平坦 方法 | ||
【主权项】:
一种改善光刻填充材料平坦度的方法,其特征在于,包括:步骤一、在晶圆的基底涂布上涂布厚度为TH2nm的填充材料,烘焙成膜;步骤二、采用涂胶显影机台在填充材料上涂布一层非化学放大型光刻胶,烘焙成膜;步骤三、将所述晶圆送入曝光机台中,用不同区域透光率不同的掩膜版对所述晶圆的非化学放大型光刻胶进行曝光,对所述晶圆的非化学放大型光刻胶进行显影;步骤四、对所述晶圆的表面进行一次蚀刻处理,所述晶圆的表面整体减薄相同厚度;步骤五、除去所述晶圆表面剩余的非化学放大型光刻胶,使得填充材料的平均厚度降至目标厚度TH1nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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