[发明专利]一种改善光刻填充材料平坦度的方法有效

专利信息
申请号: 201711106966.3 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN107910293B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 官锡俊;郭晓波 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种改善光刻填充材料平坦度的方法,包括:步骤一、在晶圆的基底涂布上涂布厚度为TH2nm的填充材料,烘焙成膜;步骤二、采用涂胶显影机台在填充材料上涂布一层非化学放大型光刻胶,烘焙成膜;步骤三、将晶圆送入曝光机台中,用不同区域透光率不同的掩膜版对晶圆的非化学放大型光刻胶进行曝光,对晶圆的非化学放大型光刻胶进行显影;步骤四、对晶圆的表面进行一次蚀刻处理,晶圆的表面整体减薄相同厚度;步骤五、除去晶圆表面剩余的非化学放大型光刻胶,使得填充材料的平均厚度降至目标厚度TH1nm。本发明改善了由于晶圆的基底的厚度差异导致填充材料涂布平坦度较差的问题。
搜索关键词: 一种 改善 光刻 填充 材料 平坦 方法
【主权项】:
一种改善光刻填充材料平坦度的方法,其特征在于,包括:步骤一、在晶圆的基底涂布上涂布厚度为TH2nm的填充材料,烘焙成膜;步骤二、采用涂胶显影机台在填充材料上涂布一层非化学放大型光刻胶,烘焙成膜;步骤三、将所述晶圆送入曝光机台中,用不同区域透光率不同的掩膜版对所述晶圆的非化学放大型光刻胶进行曝光,对所述晶圆的非化学放大型光刻胶进行显影;步骤四、对所述晶圆的表面进行一次蚀刻处理,所述晶圆的表面整体减薄相同厚度;步骤五、除去所述晶圆表面剩余的非化学放大型光刻胶,使得填充材料的平均厚度降至目标厚度TH1nm。
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