[发明专利]一种ZnO纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开的一种ZnO纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤，第一，将Al块和Zn块熔炼成合金并轧制成合金薄片，之后将合金薄片进行初次淬火处理；第二，将步骤1得到的合金薄片进行固溶处理，然后进行二次淬火得到型材；第三，将步骤2得到的型材在强碱溶液中自由腐蚀；第四，将步骤3中自由腐蚀得到的型材在强碱溶液中加热进行氧化处理，即得到ZnO纳米线阵列；本发明的方法制备出的材料在所有区域具有整齐的阵列结构，形貌纯度高，且产品在空气中稳定、不易变形，其在压电、微纳米电源、场发射、纳米激光、波导、紫外光探测器、催化以及吸附等领域具有很高的应用价值。

主权项

1.一种ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将铝块和锌块加热熔炼成合金后轧制成薄片，然后进行初次淬火处理；步骤2，将步骤1中经过淬火处理的合金薄片加热进行固溶处理，然后将经过加热固溶处理后的合金薄片进行二次淬火处理得到型材；步骤3，将步骤2得到的型材置于强碱溶液中进行自由腐蚀，直到型材表面不再出现气泡为止，其中Al与强碱溶液的摩尔比为1:1.2‑3，所述强碱溶液的浓度为0.3mol/L～3mol/L，所述自由腐蚀的时间为14h‑32h；步骤4，将步骤3中经过自由腐蚀后得到的型材置于强碱溶液中加热进行氧化处理，待表面不冒气泡后取出干燥，即得到ZnO纳米线阵列。