[发明专利]少层氧化钛及其制备方法有效
| 申请号： | 201711108338.9 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107935034B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;车相立 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及少层氧化钛及其制备方法。少层氧化钛纳米片具有原子层厚度纳米片状形貌。本发明的少层氧化钛纳米片具有原子层厚度，因此具有比表面积大，表面活性位点比例高，能够应用于催化及有机物吸附等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种少层氧化钛纳米片，其特征在于，具有原子层厚度纳米片状形貌。
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