[发明专利]一种高功率密度TVS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711108346.3 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108878270A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;苏海伟;王帅;单少杰;杨琨;蒋立柱 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小型化高功率密度TVS器件及其制造方法，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，键合后芯片上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本发明两个芯片通过Bonding设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进一步强化键合强度，从而实现小型化大功率密度TVS器件，满足户外更高浪涌能量的冲击要求。改善现有双芯片叠片工艺的低良率、芯片偏移、倾斜、电压单边不良、漏电流偏大、锡珠等异常。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 高功率 键合 连接固定框架 退火 叠片工艺 方式键合 浪涌能量 设备实现 芯片偏移 金属化 漏电流 双芯片 预键合 轴对称 晶向 良率 锡焊 锡珠 制造 对准 户外 | ||
【主权项】：
1.一种高功率密度TVS器件，其特征在于，包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，键合后芯片上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
