[发明专利]一种实现量子阱无序化的扩散加工方法有效
| 申请号： | 201711111150.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107887791B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人： | 温建洲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现量子阱无序化的扩散加工方法，包括：步骤1)在GaAs晶圆片(1)上，通过等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)生长厚度为100nm的SiN扩散掩蔽膜(2)；步骤2)使用NH4F腐蚀SiN,形成扩散源窗口；步骤3)通过金属有机化合物化学气相淀积法(MOCVD)生长厚度为100nm的SiAs扩散源(3)；步骤4)通过PECVD生长厚度为100nm的SiO2扩散保护膜(4)；步骤5)将晶圆送入扩散炉，抽真空到1Pa以下，通入N2保护，加热至800～900℃退火处理5～10h，实现无序化扩散，获得窗口结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 量子 无序 扩散 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现量子阱无序化的扩散加工方法，其特征在于，包括：/n步骤1)在GaAs晶圆片(1)上，通过等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)生长厚度为100nm的SiN扩散掩蔽膜(2)；/n步骤2)使用NH
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