[发明专利]一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法

摘要

本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15‑110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7Mohs的SiO2水溶胶磨料10‑50％、氧化剂0.2‑1.5％、pH调节剂0.5‑2％、螯合剂0.2‑1.5％、表面活性剂0.1‑1％；精抛液主要有表面活性剂0.1‑0.5％，余量为去离子水。选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。

主权项

1.一种锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计，主要由下列原料组成：磨料粒径15‑110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7Mohs的SiO2水溶胶磨料10‑50％、氧化剂0.2‑1.5％、pH调节剂0.5‑2％、螯合剂0.2‑1.5％、表面活性剂0.1‑1％；pH调节剂为有机碱；所述精抛液按重量％计,由下列原料组成：表面活性剂0.1‑0.5％，99.5‑99.9％为去离子水；所述螯合剂为FA/OII型螯合剂；所述表面活性剂为FA/OI型表面活性剂、OII‑7((C1OH21‑C6H4‑O‑CH2CH2O)7‑H)、OII‑10((C1OH21‑C6H4‑O‑CH2CH2O)10‑H)、O‑20(C12‑18H25‑37‑C6H4‑O‑CH2CH2O)70‑H)、或JFC的一种或几种混合。