[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201711111947.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108461539B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡镕泽;林恒光 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吴红林;姚亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管，其包括缓冲层、通道层、阻障层、超晶格结构、栅极、源极与漏极。缓冲层配置于基底上。通道层配置于缓冲层上。阻障层配置于通道层上。超晶格结构配置于阻障层上。栅极配置于超晶格结构上。源极与漏极配置于阻障层上且分别位于超晶格结构的两侧，或配置于通道层上且分别位于阻障层的两侧。超晶格结构包括彼此堆栈的至少一第一金属氮化物层与至少一第二金属氮化物层，且超晶格结构的平均晶格常数大于GaN的晶格常数，其中第一金属氮化物层与第二金属氮化物层中的金属各自选自由Al、Ga与In所组成的族群中的至少一者，且第一金属氮化物层与第二金属氮化物层不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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