[发明专利]采用ALD填隙间隔物掩模的自对准多重图案化处理流程有效
| 申请号： | 201711112653.9 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108183071B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·拉瓦伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/308;H01L21/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用ALD填隙间隔物掩模的自对准多重图案化处理流程。本文描述了一种形成用于自对准多重图案化工艺的对称间隔物的方法和装置。方法包括通过原子层沉积在包括核心材料和目标层的图案化衬底上沉积填隙材料、平坦化衬底以及蚀刻核心材料以形成对称的间隔物。填隙材料可沉积持续时间不足以完全填充特征，使得特征被欠填充。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 ald 填隙 间隔 物掩模 对准 多重 图案 处理 流程 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：提供具有被图案化以形成间隙的核心材料和目标层的衬底；将填隙材料保形地沉积在所述核心材料上，使得所述填隙材料沉积在所述衬底上的所述间隙中；平坦化所述衬底以形成包括所述填隙材料和所述核心材料的平坦表面；以及选择性地蚀刻所述核心材料以形成用作掩模的对称形状的间隔物以蚀刻所述目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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