[发明专利]一种利用湿法黑硅制绒工艺在审
申请号: | 201711113958.1 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108010986A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 杨斌;訾浩明;卢河 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张斌 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种湿法黑硅制绒工艺,本发明涉及太阳能电池片技术领域;它的操作步骤如下:在制绒设备的一级制绒槽中利用酸性溶液对晶硅片进行初次制绒;将带有银离子的催化剂添加到制绒设备的二级制绒槽中,与二级制绒槽中的酸性溶液进行混合,将已经初次制绒的晶硅片放入二级制绒槽中,形成二次微小的纳米机构的绒面;将经过二次制绒的晶硅片采用去离子水以及酸性溶液交替清洗数遍,即可。通过在正常的多晶绒面的状态下,进行二次生长更小的绒面,通过和正面镀Si3N4膜的匹配,可以进一步明显的降低太阳光的反射,提高电池片光电转化率,最终提高电池片的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 湿法 黑硅制绒 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种湿法黑硅制绒工艺,其特征在于:它的操作步骤如下:(1)、在制绒设备的一级制绒槽中利用酸性溶液对晶硅片进行初次制绒;(2)、将带有银离子的催化剂添加到制绒设备的二级制绒槽中,与二级制绒槽中的酸性溶液进行混合,将步骤(1)中已经初次制绒的晶硅片放入二级制绒槽中,并控制二级制绒槽的温度,此时催化剂中的银离子附着在晶硅片的表面,反应中银离子作为阴极,晶硅片作为阳极,在晶硅片表面构成微电化学反应的通道,通过反应在金属离子的下方快速的刻蚀晶硅片,形成二次微小的纳米机构的绒面;(3)、将经过二次制绒的晶硅片采用去离子水以及酸性溶液交替清洗数遍,即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏爱多能源科技有限公司,未经江苏爱多能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711113958.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:定位限位锁
- 下一篇:一种用于面袋码装的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的