[发明专利]片材、带材和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201711114134.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091604B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 木村龙一;志贺豪士;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;C09J4/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供无论有无固化处理均能附加耐久性优异的标记的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的半导体背面保护膜。在本公开的片材中，半导体背面保护膜的DSC测定的DSC曲线中，在50℃～300℃范围内出现的放热峰的放热量为40J/g以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片材，其中，所述片材包含：包含基材层和位于所述基材层上的粘合剂层的切割膜、和位于所述粘合剂层上的半导体背面保护膜，并且所述半导体背面保护膜的DSC测定的DSC曲线中，在50℃～300℃范围内出现的放热峰的放热量为40J/g以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
