[发明专利]一种半导体生产工艺方法在审
| 申请号： | 201711115015.2 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910247A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 徐庆富 | 申请（专利权）人： | 广西塔锡科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,周玉婷 |
| 地址： | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体生产工艺方法，按顺序对器件进行如下工艺步骤牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢处理、栅氧生长及光刻胶去除工艺；牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法；光刻胶去除工艺包括以下步骤软化工艺；干法去胶工艺；湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶。本发明中光刻胶去除方法能够彻底地去除光刻胶并避免在去胶过程中对衬底形成损坏，同时该半导体制作方法能够保证在离子注入工艺后，光刻胶层被有效地去除，从而减少因光刻胶残留物引起的缺陷对半导体器件的损坏；采用快速热氧化的方法生长牺牲氧化层，减小了由于长时间地热处理而造成的缺陷，达到获得较小硅片静态漏电流的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 生产工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体生产工艺方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺步骤：牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢处理、栅氧生长及光刻胶去除工艺；所述牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法；所述光刻胶去除工艺包括以下步骤：软化工艺，利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗，所述去离子水的温度为55℃‑65℃；干法去胶工艺，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西塔锡科技有限公司，未经广西塔锡科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711115015.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
