[发明专利]氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 201711115471.7 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107843957A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;翟珊;顾昌林;霍雨;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136;G02F1/035 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 吴宝根,徐颖 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法，二氧化硅包覆层中的氮化硅波导和位于其上表面的铌酸锂薄膜异质集成脊形波导，并在铌酸锂薄膜上表面放置行波电极。氮化硅波导与其上表面的铌酸锂薄膜交叉耦合，在行波电极上外加高速电信号，对通过铌酸锂薄膜的光波的相位进行控制，实现加载电信号的振幅调制到光信号的相位调制的转换。三维垂直集成设计，使芯片集成更紧凑，节省空间，同时降低光波导的插入损耗，可望实现100G的光调制速率，实现光波在铌酸锂薄膜中被高速调制并经氮化硅波导低损耗传播的特性，完成性能优异的光调制。其制作工艺与半导体加工工艺兼容，调制效率高，能耗低，在光信号处理等领域中具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铌酸锂异质 集成 波导 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构，其特征在于，硅材料表面上沉积二氧化硅，二氧化硅上为沉积并被刻蚀的氮化硅波导，氮化硅波导周围被二氧化硅包覆，再上附有一层铌酸锂薄膜，二氧化硅包覆层中的氮化硅波导和位于氮化硅波导上表面的铌酸锂薄膜异质集成形成脊形波导，最后利用光刻、剥离的技术工艺，在铌酸锂薄膜上氮化硅波导上方两侧制备有两个行波电极。
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