[发明专利]一种钯修饰二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711116375.4 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107884453A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 毛多鹭;凌云汉;彭建洪;杨永萧 申请(专利权)人: 青海民族大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y30/00
代理公司: 北京高沃律师事务所11569 代理人: 刘奇
地址: 810000 青海省西*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明提供一种钯修饰二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器及其制备方法。本发明提供的传感器中钯纳米颗粒在氢敏过程中是很好的催化剂,通过溢流效应,在增大灵敏度的同时,也降低了传感器的工作温度;并且钯纳米颗粒与TiO2纳米管之间为点接触连接,极大地增大了材料的比表面积,也起到增大灵敏度的作用;通过银电极分别与TiO2纳米管阵列和金属钛箔连接,形成肖特基结面积小的阵列式传感器,稳定性好。实验结果表明,本发明提供的钯修饰二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器对氢气的检出限达到1ppm,响应时间小于10s。
搜索关键词: 一种 修饰 氧化 纳米 阵列 肖特基结氢敏 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钯修饰二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器,包括金属钛箔、垂直分布于所述金属钛箔单面的TiO2纳米管阵列、附着于所述TiO2纳米管内壁和外壁上的钯纳米颗粒以及分别电连接于金属钛箔和TiO2纳米管阵列表面的两个银电极。
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