[发明专利]一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711116536.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107958765B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李明华;于广华;陈喜;施辉;方帅 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01F10/30;H01F41/14;H01F41/22 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在上述多层膜两边沉积（0.1～100.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来避免Ta的扩散，同时改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高薄膜的垂直磁各向异性、改善其热稳定性的目的，以满足磁性随机存储器和磁传感器的性能和产品需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 各向异性 磁性 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料，该磁性薄膜材料包括基底、缓冲层、具有垂直磁各向异性的多层膜、保护层；其特征在于，所述缓冲层和保护层均由金属Ta和半金属元素构成，所述金属Ta的质量百分比为：19.9‑99.9%，剩余为半金属元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711116536.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
