[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对所述底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，使所述底部晶圆的顶表面与所述顶部晶圆的底面贴合，形成晶圆键合结构；对所述晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺，所述第一边缘修剪工艺具有自第一边缘修剪位置处距离顶部晶圆的边缘的第一宽度和自所述第一边缘修剪位置处距离顶部晶圆顶表面的第一深度；对所述晶圆键合结构实施第二边缘修剪工艺，所述第二边缘修剪工艺具有自第二边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆的边缘的第二宽度和自所述第二边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆的顶表面的第二深度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二深度小于所述第一深度，以使所述顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对所述顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。