[发明专利]一种LED外延层结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201711117656.1 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107833944B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 周智斌;汪延明;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种LED外延层结构及其生长方法，LED外延层结构，包括：依次生长在衬底上的第一U‑GaN层、氮化铝薄膜棒、第二U‑GaN层、N‑GaN层、量子阱层和P型半导体层；衬底为图形化衬底，衬底的图形为呈阵列排布的圆锥体；氮化铝薄膜棒位于圆锥点的上方，其中，第一U‑GaN层和第二U‑GaN层弥合形成U‑GaN层，氮化铝薄膜棒被包覆在U‑GaN层内。本发明由于增加了氮化铝薄膜棒，能够阻挡圆锥体顶部引起的缺陷进一步向上生长，减少了LED外延层的缺陷和位错密度；而且能够改善GaN内部光线的传播路径和传播角度，进而提高芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延层结构，其特征在于，包括：依次生长在衬底上的第一U‑GaN层、氮化铝薄膜棒、第二U‑GaN层、N‑GaN层、量子阱层和P型半导体层；所述衬底为图形化衬底，所述衬底的图形为呈阵列排布的圆锥体；所述氮化铝薄膜棒位于所述圆锥体的顶点的上方，其中，所述第一U‑GaN层和所述第二U‑GaN层弥合形成U‑GaN层，所述氮化铝薄膜棒被包覆在所述U‑GaN层内；所述氮化铝薄膜棒由生长在所述第一U‑GaN层上的氮化铝薄膜利用感应耦合等离子体刻蚀设备刻蚀而成。
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