[发明专利]一种反馈控制导线的电阻方法在审
申请号: | 201711117690.9 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107887305A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 江旻;昂开渠;任昱;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/768 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种反馈控制导线的电阻方法,应用于半导体器件的金属互联结构制备工艺中,其中,包括以下步骤提供一刻蚀工艺于半导体器件的表面刻蚀形成一预定深度的沟槽;将沟槽的深度以及宽度对应的数值输出至一控制系统;于刻蚀后的沟槽内生长一金属层;控制系统根据沟槽的宽度以及深度获得沟槽的第一横截面积;根据一目标电阻于第一横截面积中获取一需要保留的金属层横截面积;控制系统根据第一横截面积与金属层横截面积的差值,处理得到一研磨高度控制系统根据研磨高度对金属层进行研磨,使金属层的被去除的研磨厚度与研磨高度相等。其技术方案的有益效果在于,进一步获取需要研磨的金属层的研磨厚度,使研磨后的金属层满足控制导线的目标电阻的阻值。 | ||
搜索关键词: | 一种 反馈 控制 导线 电阻 方法 | ||
【主权项】:
一种反馈控制导线的电阻方法,应用于半导体器件的金属互联结构制备工艺中,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、于一衬底的表面刻蚀形成一预定深度的沟槽;步骤S2、将所述沟槽的深度以及宽度对应的数值输出至一控制系统;步骤S3、于刻蚀后的所述沟槽内生长一金属层;步骤S4、所述控制系统根据所述沟槽的宽度以及深度获得所述沟槽的第一横截面积;步骤S5、根据一预设的目标电阻于所述第一横截面积中获取一需要保留的金属层横截面积;步骤S6、所述控制系统根据所述第一横截面积与所述金属层横截面积的差值,处理得到一研磨高度;步骤S7、所述控制系统根据所述研磨高度对所述金属层进行研磨,使所述金属层被去除的厚度与所述研磨高度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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