[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法、IPM模块、以及空调器在审
| 申请号： | 201711118290.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910367A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块、空调器以及一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，该绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在半导体衬底第一表面的漂移区及有源区，以及形成在半导体衬底第二表面的集电极区；集电极区包括沿半导体衬底的厚度方向与漂移区依次连接的第一集电极层、第二集电极层、第三集电极层及集电极金属层；第三集电极层的掺杂浓度大于第二集电极层的掺杂浓度，且小于第一集电极层的掺杂浓度。本发明在不增加掺杂浓度而保证绝缘栅双极晶体管有较低的导通压降的情况下，通过设置所述集电极区的掺杂浓度不均匀，同时降低绝缘栅双极晶体管的导通压降和关断时间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 ipm 模块 以及 空调器 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区，以及形成在所述半导体衬底第二表面的集电极区；所述集电极区包括沿所述半导体衬底的厚度方向与所述漂移区依次连接的所述第一集电极层、第二集电极层、第三集电极层及集电极金属层；所述第三集电极层的掺杂浓度大于所述第二集电极层的掺杂浓度，且小于所述第一集电极层的掺杂浓度。
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