[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法、IPM模块、以及空调器在审
| 申请号： | 201711118325.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910368A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块、空调器以及一种绝缘栅双极晶体管的制作方法。其中绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；形成在半导体衬底第一表面的漂移区及有源区，以及形成在半导体衬底第二表面的集电极区；集电极区具有邻接漂移区的第一侧和背离漂移区的第二侧，且沿第一侧向第二侧递减，以形成相对设置的高掺杂浓度侧和低掺杂浓度侧，并在邻近漂移区侧的掺杂浓度更高，而增加漂移区电子与空穴复合的速度，进而降低器件的关断时间。本发明在不增加掺杂浓度而保证绝缘栅双极晶体管有较低的导通压降的情况下，通过设置所述集电极区的掺杂浓度不均匀，以降低绝缘栅双极晶体管的关断时间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 ipm 模块 以及 空调器 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；形成在所述半导体衬底第一表面的漂移区及有源区，以及形成在所述半导体衬底第二表面的集电极区；所述集电极区具有邻接所述漂移区的第一侧和背离所述漂移区的第二侧，所述集电极区的掺杂浓度沿所述第一侧向所述第二侧递减。
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