[发明专利]一种石墨烯晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201711118404.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910377B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 蔚翠;何泽召;刘庆彬;宋旭波;王晶晶;周闯杰;郭建超;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 付晓娣<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯晶体管制备方法，其特征在于，包括步骤：/n在衬底上制作石墨烯PN结；/n在所述石墨烯PN结两侧分别制作源、漏接触电极；/n在所述石墨烯PN结的P区或N区制作与所述石墨烯PN结的结区成45°夹角的栅极，所述栅极贯穿所述P区或N区；/n其中，所述源、漏接触电极与石墨烯PN结的结区平行。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711118404.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
