[发明专利]一种逆阻型氮化镓器件有效
| 申请号： | 201711119005.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910364B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;崔兴涛;施宜军;李茂林;刘杰;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 器件 | ||
【主权项】：
一种逆阻型氮化镓器件，包括衬底(1)、位于衬底上表面的GaN缓冲层(2)和位于GaN缓冲层(2)上表面的InAlN势垒层(3)，所述GaN缓冲层(2)和InAlN势垒层(3)形成异质结；所述InAlN势垒层(3)两侧上表面具有与其形成肖特基接触的源极金属(4)和漏极金属(5)；所述漏极金属(5)的功函数大于所述源极金属(4)的功函数；所述漏极金属(5)采用功函数大于5eV的金属或合金，源极金属(4)采用功函数小于5eV的金属或合金；在靠近源极(4)一侧有嵌入势垒层(3)的凹槽栅结构(8)；所述凹槽栅结构(8)由栅介质(6)、栅极金属(7)构成。
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