[发明专利]一种微腔结构紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201711119912.0 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109786494B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 陈洪宇;苏龙兴;胡平安;李炳生 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/036;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种微腔结构紫外探测器及其制备方法,其中紫外探测器的制备过程包括衬底清洗、籽晶层生长、微米线生长、单根宽禁带半导体微/纳米线上下两侧金属薄膜、金属纳米粒子的制备以及探测器金属电极层的制备工艺。本发明的特点是新开发了一种特殊结构的高性能、小体积的紫外探测器,其探测截止波长小于380nm,解决了紫外探测器尺寸的减小和光电转的提高难以同时实现的矛盾问题。此外,此种微腔结构紫外探测器结构简单、易于耦合焦平面读出电路,有益于下一代高密度集成光电回路的开发。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种新型微腔结构紫外探测器,其特征在于,包括:金属薄膜,宽禁带半导体微/纳米线,金属纳米结构以及器件两端的金属电极;其中金属薄膜的厚度为5nm~2μm,单根四边形宽禁带微/纳米线的截面宽度为10nm~10μm,截面厚度为10nm~10μm,微米线的长度为1mm‑1cm,金属纳米结构的特征尺寸范围为10~300nm,相邻金属纳米粒子之间的间距为5~100nm,金属电极层的厚度为30~500nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711119912.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的