[发明专利]一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法在审
| 申请号： | 201711119949.3 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786114A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杨小兵 | 申请（专利权）人： | 天全君力电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/055 | 分类号： | H01G9/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 625500 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子元器件技术领域，特指一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法，通过在四级化成的低压腐蚀箔的再化成处理中使用硅烷偶联剂，可在无机物质和有机物质的界面之间架起“分子桥”，把两种性质悬殊的材料连接在一起，提高复合材料的性能和增加粘结强度的作用，通过对化成中的低压腐蚀箔加入了硅烷偶联剂，使复合膜的铝和钛两种金属能够很好的结合，最终达到提高箔的电性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 铝电解电容器 低压腐蚀箔 硅烷偶联剂 高介电 化成箔 电子元器件 材料连接 四级化成 无机物质 有机物质 复合材料 电性能 分子桥 复合膜 再化成 化成 粘结 制造 金属 | ||
【主权项】：
1.一种低压高介电铝电解电容器用化成箔的制造方法，其特征在于：具体步骤如下：a.将低压腐蚀箔在己二酸铵溶液中进行四级化成处理；b.将箔片在硅酸钠溶液中浸泡处理，然后纯水清洗；c.将箔片在己二酸铵溶液中按照步骤a的最高化成电压进行化成处理；d.将化成后的箔片进行纯水清洗并在空气氛围中进行热处理；e.将箔片在磷酸二氢氨和偶联剂硅烷的混合溶液中以最高化成电压进行化成处理；f.将箔片纯水清洗后放入100‑150℃的干燥箱中烘干即可。
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