[发明专利]具有平面钝化层的半导体装置在审
| 申请号： | 201711120009.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427727A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 汪柏澍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种具有平面钝化层的半导体装置，包含：突出的导电结构，此突出的导电结构从半导体装置的第一表面突伸出一高度；以及第一钝化层，此第一钝化层覆盖此突出的导电结构达第一厚度，此第一钝化层覆盖此第一表面达第二厚度，且第二厚度大于第一厚度，其中此第一钝化层在第一厚度和第二厚度上方的顶表面上是平坦的。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 半导体装置 导电结构 第一表面 顶表面 覆盖 平坦 伸出 | ||
【主权项】：
1.一种具有平面钝化层的半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一突出的导电结构，从一第一表面突伸出至一高度；以及一第一钝化层，其中该第一钝化层覆盖该突出的导电结构达一第一厚度，该第一钝化层覆盖该第一表面达一第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度，其中该第一钝化层在该第一厚度和该第二厚度上方的一顶表面处是平坦的。
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