[发明专利]光感测装置有效
申请号: | 201711120012.8 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107910342B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 陈德铭;陈宗汉;吴声桢;周耕群;陈盈宪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光感测装置包括非可见光转换基板、感光元件、第一保护层、薄膜晶体管、第一导电图案及第二保护层。感光元件及薄膜晶体管配置于非可见光转换基板。第一保护层覆盖非可见光转换基板以及感光元件的第二电极。第一保护层具有与感光元件的第二电极重叠的开口。第一导电图案设置于第一保护层上且通过第一保护层的开口与感光元件的第二电极电性连接。第一导电图案电性连接于感光元件的第二电极与薄膜晶体管的源极之间。第二保护层覆盖薄膜晶体管、第一导电图案及感光元件。 | ||
搜索关键词: | 光感测 装置 | ||
【主权项】:
一种光感测装置,其特征在于,包括:一非可见光转换基板,用以将一非可见光转换成一可见光;一感光元件,配置于该非可见光转换基板上,以感测该可见光,该感光元件包括:一第一电极与一第二电极;以及一光电转换层,设置于该第一电极与该第二电极之间,其中,该第一电极接近该非可见光转换基板,该第二电极远离该非可见光转换基板,且该第一电极的材料包括透明或半透明材料;一第一保护层,覆盖该非可见光转换基板以及该感光元件的该第二电极,其中,该第一保护层具有一开口,该开口与该第二电极的至少一部分重叠;一薄膜晶体管,设置于该非可见光转换基板上,其中,该薄膜晶体管包括一栅极、一半导体层、一栅极绝缘层、与该半导体层电性连接的一源极与一漏极,该半导体层位于该栅极与该源极之间以及该栅极与该漏极之间,且该栅极绝缘层位于该半导体层与该栅极之间;一第一导电图案,设置于该第一保护层上,其中,该第一导电图案通过该第一保护层的该开口与该感光元件的该第二电极电性连接,且该第一导电图案电性连接于该感光元件的该第二电极与该薄膜晶体管的该源极之间;以及一第二保护层,覆盖该薄膜晶体管、该第一导电图案以及该感光元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711120012.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的