[发明专利]一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711120075.3 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107706245B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王新强;王丁;沈波;杨流云;王平;王涛;陈兆营;盛博文;张健;谭为;苏娟;石向阳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L21/336;H01L29/20 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 平面 结构 共振 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物平面结构共振隧穿二极管，其特征在于，所述共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；其中，在衬底上依次外延生长发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层和集电极掺杂层，从而形成外延晶片；形成掩膜板，所述掩膜板的图形包括同心的圆形和部分环形；通过掩膜板刻蚀外延晶片至发射极掺杂层的上半部分，从而在外延晶片上分别形成圆柱形台面和部分环形台面；在圆柱形台面和部分环形台面的侧面和上表面沉积钝化层；去除掩膜板，掩膜板上的钝化层自动剥离，分别暴露出圆柱形台面和部分环形台面的集电极掺杂层表面，暴露出的集电极掺杂层的表面分别为圆形和部分环形，从而形成自对准剥离开窗；在暴露出来的圆形的集电极掺杂层的表面形成集电极电极，以及在暴露出来的部分环形的集电极掺杂层的表面形成发射极电极，所述发射极电极和集电极电极形成平面结构。/n
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