[发明专利]镍金属硅化物的TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201711121958.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108106890B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈胜;陈强;史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镍金属硅化物的TEM样品的制备方法，包括步骤：步骤一、提供一芯片，镍金属硅化物形成于芯片的器件层和半导体衬底界面的选定区域中；步骤二、形成金属保护层将需要进行TEM分析的目标位置的区域完全覆盖；步骤三、采用离子束进行形成TEM分析的TEM样品的切割；步骤四、将芯片倾转一定的角度，采用离子束对TEM样品的半导体衬底层进行离子轰击并使得半导体衬底层完全非晶化。本发明能提高TEM样品的半导体衬底层和镍金属硅化物之间的TEM的衬度成像差异。能得到能在TEM模式下直接进行镍金属硅化物的清晰成像的TEM样品，从而能缩短样品的TEM观测时间，降低观测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镍金属硅化物的TEM样品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一需要制作成TEM样品的芯片，所述芯片的器件层形成于半导体衬底表面上，镍金属硅化物形成于所述器件层和所述半导体衬底界面的选定区域中；步骤二、在所述器件层的选定区域表面形成金属保护层，所述金属保护层的覆盖区域大于目标位置的区域且将所述目标位置的区域完全覆盖；所述目标位置对应于需要进行TEM分析的所述镍金属硅化物的形成区域；步骤三、采用离子束对所述目标位置两侧的所述金属保护层、所述器件层和所述半导体衬底层进行垂直切割并最后切割减薄形成用于对所述镍金属硅化物进行TEM分析的TEM样品；步骤四、将所述芯片倾转一定的角度，采用离子束对所述TEM样品的半导体衬底层进行离子轰击并使得所述半导体衬底层完全非晶化，用以提高所述TEM样品的所述半导体衬底层和所述镍金属硅化物之间的TEM的衬度成像差异。
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