[发明专利]一种玻璃钝化晶片背面切割方法

摘要

一种玻璃钝化晶片背面切割方法，包括如下步骤：(1)一次双面匀胶，(2)单面光刻，(3)显定影，(4)一次蚀刻，(5)清洗，(6)玻璃钝化，(7)表面金属化，(8)晶圆测试，(9)激光打孔，(10)激光划切。晶片在制造过程中无需进行蚀刻制作切割线，使用激光划片设定特殊划切程序，晶片在一次光刻过程，无需进行背面匀胶曝光，同时在蚀刻时无需进行一次蚀刻再匀胶保护，在晶片制造过程中缩减生产流程，提高晶片流转效率，节省生产成本。

主权项

1.一种玻璃钝化晶片背面切割方式，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)一次双面匀胶：/n在晶片表面涂覆光刻胶通过旋转速度及时间控制光刻胶厚度，使晶片表面涂覆一层均匀厚度的光刻胶，再经过坚膜烘烤使光刻胶牢固粘附在晶片表面；/n(2)单面光刻：/n择涂覆光刻胶的晶片单面，通过曝光机发出的紫外线将光刻板图案翻刻到晶片表面的光刻胶，利用光刻胶与紫外线的化学性质完成操作；/n(3)显定影：/n经过紫外线照射的光刻胶发生交联化学反应，按照光刻板设计图形由显影液进行溶解，并通过定影液进行冲洗清洁，晶片表面留下设计需求的图案；/n(4)一次蚀刻：/n利用混合酸的腐蚀作用，并通过光刻胶抗腐蚀作用，混合酸腐蚀未被光刻胶保护的晶片区域，最终形成单个晶胞；/n(5)清洗：/n使用标准RCA清洗方式，对晶片表面及沟槽内部PN结进行表面杂质去除；/n(6)玻璃钝化：/n将玻璃粉填充至已清洗干净的沟槽内部，再使用精密控温的玻璃烧结炉将玻璃粉熔化成致密的玻璃钝化层；/n(7)表面金属化：/n将已玻璃钝化后的晶片在专用镀槽内进行表面金属化处理，增加欧姆接触，便于封装焊接；/n(8)晶圆测试：/n将金属化处理的晶片进行100％测试，确保每颗芯片都符合电性标准；/n(9)激光打孔：/n在晶片正面边缘有沟槽区域设定激光打孔区域，通过程序控制设定激光划过长度及激光发射频率，最终将晶片正面划过的激光痕迹在晶片背面能够清晰可见，晶片背面出现清晰的对准标记；/n步骤(9)中所述激光打孔包括，在晶片边缘最外1圈芯片中心位置选取定位，设为待打孔区域，其选取位置依附于激光划片机显微镜行程，需将显微镜行程调成与晶片直径相同的数据，为100-102mm；晶片正面取4处打孔区域，每处区域选取位置相同，其实现方式通过吸片盘自动旋转90°，即分别在X方向与Y方向进行左右水平方向选取2处打孔区域；/n(10)激光划切：/n根据激光打孔进行两点一线定位，在晶片背面进行水平方向划切，做到晶片背面无对准标识激光划切。/n