[发明专利]一种金属栅极制作方法

摘要

本发明提供一种金属栅极制作方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，在去除NMOS区域的多晶硅伪栅极时使用氮化钛作为硬掩膜，分开去除NMOS和PMOS的多晶硅伪栅极后，同步进行电极填充，简化工艺流程。

主权项

一种金属栅极制作方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其特征在于，提供一形成有多晶硅伪栅极的CMOS结构，所述CMOS结构具有NMOS区域和PMOS区域，所述CMOS结构上覆盖有一层间介质隔离层，还包括以下步骤：步骤S1、通过CMP平坦化至所述多晶硅伪栅极露出；步骤S2、淀积一硬掩膜层，于所述硬掩膜层表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于所述PMOS区域的所述多晶硅伪栅极处形成工艺窗口；步骤S3、通过所述第一掩膜层对所述PMOS区域进行刻蚀，去除所述PMOS区域的所述多晶硅伪栅极，形成一第一栅极沟槽；步骤S4、去除所述第一掩膜层，依次淀积一第一刻蚀阻挡层和一第一TiN层；步骤S5、于所述第一TiN层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于所述NMOS区域的所述多晶硅伪栅极处形成工艺窗口；步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述NMOS区域进行刻蚀，去除所述NMOS区域的所述多晶硅伪栅极，形成一第二栅极沟槽；步骤S7、去除所述第二掩膜层，依次淀积一第二刻蚀阻挡层、一TiAl层、一第二TiN层、一浸润层，随后，在所述CMOS表面淀积栅极金属；步骤S8、对所述CMOS表面进行平坦化处理，至去除所述硬掩膜层，形成金属栅极。