[发明专利]一种制备HBT基极的蚀刻工艺有效
| 申请号： | 201711122912.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108022837B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王江;朱庆芳;许燕丽;钟晓伟;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备HBT基极的蚀刻工艺，首先采用干蚀刻工艺蚀刻InGaP，在干蚀刻检测到终点之后立即停止干蚀刻，转而用高选择性的湿法蚀刻清除掉残留的InGaP和表面等离子损伤的物质，通过干湿结合的蚀刻工艺有很好的工艺控制性和稳定性，并且没有p掺杂GaAs基极层的表面等离子损伤，制程可控性可大幅改善。此法尤其适合高增益薄的HBT基极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 hbt 基极 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制备HBT基极的蚀刻工艺，其特征在于包括以下步骤：/n1） 提供一半导体基底，所述半导体基底包括层叠的p掺杂GaAs基极层和InGaP发射极层；其中所述p掺杂GaAs基极层的厚度为50~100nm；/n2） 于所述InGaP发射极层上形成光阻层，通过曝光、显影于预设基极区域形成显开窗口；/n3） 对所述显开窗口之内的InGaP发射极层进行干法蚀刻，通过检测产物中In的光谱强度并根据其强度减弱程度决定蚀刻终点，控制蚀刻深度大于InGaP发射极层厚度的95%；其中，是以In光谱强度减弱区间的变化速率达到最低值时为蚀刻终点；/n4） 通过湿法蚀刻去除所述显开窗口内余下的InGaP以及被离子损伤的物质，使p掺杂GaAs基极层表面裸露；所述蚀刻液为盐酸溶液；所述湿法蚀刻的蚀刻液配比为浓HCl：H
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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