[发明专利]光刻掩模层在审

专利信息
申请号: 201711123298.5 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN108227412A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: R·戈龙海德;A·辛格;W·纳朋 申请(专利权)人: IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
主分类号: G03F7/40 分类号: G03F7/40
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 江磊;郭辉
地址: 比利*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要: 一种用于制造掩模层的方法,所述方法包括:a.在基材上提供图案化层,所述图案化层至少包括具有第一特性的有机材料的第一组线,所述线具有线高度,并且通过空隙或具有第二特性的材料分开;b.用金属或陶瓷材料浸润至少第一组线的顶部部分,所述金属或陶瓷材料具有在浸润的第一组线中的实际密度和固有密度;以及c.通过氧化等离子体蚀刻去除有机材料,以在基材上形成金属或陶瓷材料的第二组线;其中,在浸润的线中金属或陶瓷材料的实际密度为固有密度的15‑85%、优选25‑65%。
搜索关键词: 陶瓷材料 金属 浸润 图案化层 有机材料 基材 蚀刻 氧化等离子体 光刻掩模 掩模层 去除 优选 制造
【主权项】:
1.一种用于制造掩模层的方法,所述方法包括:a.在基材(100)上提供图案化层,所述图案化层至少包括具有第一特性的有机材料的第一组线(210),所述线具有线高度、第一线宽粗糙度,并且通过空隙或具有第二特性的材料(300)分开;b.用金属或陶瓷材料浸润至少第一组线(210)的顶部部分,所述金属或陶瓷材料具有固有密度和在浸润的第一组线(210)中的实际密度;以及c.通过氧化等离子体蚀刻去除有机材料,由此在基材(100)上形成金属或陶瓷材料的第二组线(220),所述第二组线具有小于第一线宽粗糙度的第二线宽粗糙度;其中,在浸润的第一组线(210)中金属或陶瓷材料的实际密度为固有密度的15‑85%、优选25‑65%。
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