[发明专利]一种硅基负极极片、硅掺杂复合集流体及锂离子电池有效
| 申请号： | 201711123398.8 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107742694B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;张要军;怀永建;郭建峰 | 申请（专利权）人： | 中航锂电（洛阳）有限公司;中航锂电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/38;H01M4/66;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 471003 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基负极极片、硅掺杂复合集流体及锂离子电池。该硅基负极极片包括集流体和附着在集流体上的电极材料层，所述集流体为采用离子注入法将硅掺杂到集流体内部的硅掺杂复合集流体。本发明提供的硅基负极极片，硅以离子注入形式掺杂到集流体内部形成硅掺杂集流体，在硅掺杂集流体上涂覆电极材料制成硅基负极。离子注入过程在集流体内部产生缺陷、位错或损伤，位于其中的硅在充放电下的膨胀率小，且在可控范围内变化，从而极大程度改善硅基负极在循环过程中膨胀率大且不可控的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 掺杂 复合 流体 锂离子电池 | ||
【主权项】：
一种硅基负极极片，包括集流体和附着在集流体上的电极材料层，其特征在于，所述集流体为采用离子注入法将硅掺杂到集流体内部的硅掺杂复合集流体。
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