[发明专利]一种离子注入设备及其控制方法有效
申请号: | 201711123553.6 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107919261B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 李儒健;傅永义;谭超;经好;刘晨亮;张新慧;罗康 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/02;H01J37/08;H01J37/244 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种离子注入设备及其控制方法,涉及显示技术领域,能够降低在调整分析磁场的磁场强度的阶段中,离子束和分析磁场的内外壁碰撞产生的杂质颗粒进入到离子注入腔室中的数量。该离子注入设备包括离子源、射束线装置、离子注入腔室、以及位于离子注入腔室内的监控装置,监控装置用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对经射束线装置进入离子注入腔室的离子束的电流进行监控。离子注入设备还包括用于调节离子束入口的打开程度的调节件,调节件设置在离子注入腔室的离子束入口所在位置处,调节件用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种离子注入设备,包括离子源、射束线装置和离子注入腔室,其特征在于,还包括:位于所述离子注入腔室内的监控装置,所述监控装置用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对经所述射束线装置进入所述离子注入腔室的离子束的电流进行监控;用于调节所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度的调节件,所述调节件设置在所述离子注入腔室的离子束入口所在位置处,所述调节件用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡。
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