[发明专利]基于稀土离子掺杂光学晶体的量子传感器及其用途有效
| 申请号： | 201711126532.X | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109787082B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周宗权;马钰;涂涛;李传锋;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01S3/30 | 分类号： | H01S3/30;H01S3/091;H01S3/16;H01S3/10;G02F1/09;G01D21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于稀土离子掺杂光学晶体的量子传感器，其包含：稀土离子掺杂光学晶体；低温提供单元，其向稀土离子掺杂光学晶体提供低温工作环境；恒定磁场产生单元，其向稀土离子掺杂光学晶体施加恒定磁场；光场产生单元，其提供对稀土离子掺杂光学晶体进行光学泵浦使稀土离子处于自旋初态的光场，以及用于激发稀土离子掺杂光学晶体的拉曼散射的光场；脉冲磁场产生单元，其向稀土离子掺杂光学晶体施加垂直于恒定磁场的脉冲磁场，使稀土离子掺杂光学晶体产生自旋回波；和外差式拉曼散射光场探测分析单元，其探测并分析从稀土离子掺杂光学晶体辐射的拉曼散射光场。本公开还提供该量子传感器用于磁场传感、电场传感的用途和传感方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 稀土 离子 掺杂 光学 晶体 量子 传感器 及其 用途 | ||
【主权项】：
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