[发明专利]一种抗铝毒豌豆幼苗培植方法在审
| 申请号： | 201711128454.7 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108040844A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 喻敏;郭少雪;李学文;萧洪东;刘家友;冯英明 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | A01G31/00 | 分类号： | A01G31/00;A01G24/30 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 王国标 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种抗铝毒豌豆幼苗培植方法，其包括如下工艺步骤：1)雾培：豌豆种子用7.5％的次氯酸钠浸泡，用无菌超纯水清洗5～6次，然后在24℃黑暗条件下用浓度为0.5mmol/L的CaCl |
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| 搜索关键词： | 一种 抗铝毒 豌豆 幼苗 培植 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗铝毒豌豆幼苗培植方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：1)雾培：豌豆种子用7.5％的次氯酸钠浸泡，用无菌超纯水清洗5～6次，然后在24℃黑暗条件下用浓度为0.5mmol/L的CaCl2 溶液浸泡8h后雾化培养，得豌豆幼苗；2)水培：豌豆幼苗雾培至根长为2～3cm时，将豌豆转移到装有霍格兰氏营养液的不透明塑料烧杯中进行培植，加入pH＝7.0的浓度为0.005mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，充分吸附，后加入pH＝5.5的浓度为50mM/L的硅溶液，充分吸附，再用pH＝4.5的浓度为0.5mmol/L的CaCl2 溶液进行适应性处理，水培周期为6天。
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