[发明专利]在主动区上方具有气隙间隔件与栅极接触的基于晶体管的半导体装置在审
| 申请号： | 201711128692.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108074972A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;成敏圭;朴灿柔;L·沃尔夫冈;金勋 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在主动区上方具有气隙间隔件与栅极接触的基于晶体管的半导体装置，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、在该半导体衬底上的半导体鳍片、与该半导体鳍片整合在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、漏极以及在源极、漏极之间的沟道区域。该半导体结构进一步包括在该沟道区域上方的栅极结构，该栅极结构包括栅极电极、邻近该栅极电极的相对侧壁上的气隙间隔件对、以及用于该栅极电极的栅极接触。还提供一种制造这种半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 主动区 晶体管 半导体装置 气隙间隔 栅极电极 栅极接触 半导体结构 半导体鳍片 沟道区域 栅极结构 衬底 漏极 源极 半导体 相对侧壁 整合 邻近 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括:提供起始半导体结构，该起始半导体结构包括半导体衬底、在该衬底上的鳍片、具有源极/漏极对且在该源极/漏极对其间具有沟道区域的主动区、在该源极/漏极对的源极与漏极上面的下接触部分、以及在该沟道区域上方的栅极电极；形成邻近该栅极电极的相对侧壁的气隙间隔件对；形成在该栅极电极上方的下栅极接触；以及形成在该下栅极接触上方的上栅极接触，该上栅极接触位于该主动区上面。
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