[发明专利]一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法

摘要

本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

主权项

1.一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器，其特征在于：从上至下依次包括源漏电极(5)、半导体层(4)、电荷存储层(3)、栅绝缘层(2)、衬底(1)，其中所述电荷存储层(3)由遂穿层和浮栅共同组成；所述电荷存储层(3)是由有机小分子材料与疏水性高介电常数绝缘材料制备而成；所述的存储器的下部分还包括形成于衬底(1)上的栅电极，所述的存储器采用的是底栅顶接触的器件结构。