[发明专利]硅外延晶片制造装置在审
| 申请号： | 201711128804.X | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109778309A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吉武贯 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可延长寿命并简化维护。本发明的硅外延晶片制造装置（10），具备：腔室（20），容纳硅晶片（100）并通过由灯加热所导入的气体进行外延成膜处理；及多个金属部件，安装于腔室，其中，多个金属部件包括：底板（29），保持腔室；隔离阀（27），使硅晶片在腔室进出；及供排气机构（30、40），连接于腔室并引导对腔室进行供排气的气体，在位于能够被金属部件中的灯（11）照射的位置的腔室的内表面及与金属部件的组装面中被灯照射的腔室的内表面接触的部分设置有石英涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室 金属部件 硅外延晶片 制造装置 硅晶片 内表面 底板 成膜处理 排气机构 石英涂层 延长寿命 灯照射 隔离阀 组装面 排气 加热 照射 容纳 维护 | ||
【主权项】：
1.一种硅外延晶片制造装置，具备：腔室，容纳硅晶片并通过由灯加热所导入的气体进行外延成膜处理；及多个金属部件，安装于所述腔室且由含有金属的材料构成，该硅外延晶片制造装置的特征在于，所述多个金属部件中，在所述腔室的内侧的位于能够被所述灯照射的位置的面设置的涂层与在照射不到所述灯的面的一部分设置的涂层相比，基于所述灯照射的温度上升率设定得低。
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