[发明专利]半导体器件和用于操作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201711129145.1 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108074978B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | T.M.赖特;F.沃尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/082;H01L27/06;G01R1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在半导体器件的正向操作模式中导通电流，并且在半导体器件的反向操作模式中阻断电流。此外，半导体器件包括多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式中和反向操作模式中都导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件（100、200-C、400），包括：多个（110）正向导通绝缘栅双极晶体管单元，其中，所述多个（110）正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在所述半导体器件（100、200-C、400）的正向操作模式中导通电流，并且在所述半导体器件（100、200-C、400）的反向操作模式中阻断电流；多个（120）反向导通绝缘栅双极晶体管单元，其中，所述多个（120）反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式和反向操作模式中都导通电流。
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