[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711129871.3 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109273531A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 沈冠杰;林志雄;张嘉德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包含鳍结构，其设置于基底上且沿着一方向水平延伸，以及栅极部件，其包含栅极介电层和至少一第一金属栅极层覆盖栅极介电层，其中栅极介电层和第一金属栅极层跨过鳍结构，以覆盖鳍结构的中央部分，且更沿着前述方向延伸，以覆盖鳍结构的至少一侧边部分，侧边部分位于栅极部件的侧壁的垂直投影之外。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍结构 栅极介电层 半导体装置 金属栅极层 栅极部件 覆盖 垂直投影 方向水平 方向延伸 侧壁 侧边 基底 跨过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一鳍结构，设置于一基底上，沿着一方向水平延伸；以及一栅极部件，横越该鳍结构，以覆盖该鳍结构的一中央部分，且更沿着该方向延伸，以覆盖该鳍结构的至少一侧边部分，且该侧边部分位于该栅极部件的一侧壁的一垂直投影以外。
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