[发明专利]包括电容器的半导体存储装置有效
| 申请号： | 201711130371.1 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108962909B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 成象铉;金定焕;金镇浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;G11C11/404 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括电容器的半导体存储装置。一种半导体存储装置包括：半导体层，该半导体层包括存储单元区域；存储单元阵列，该存储单元阵列包括层叠在所述半导体层上的多个第一栅极层，并且被设置在所述存储单元区域中；以及电容器电路，该电容器电路被设置在所述存储单元区域外侧的所述半导体层上。所述电容器电路包括：多个栅极结构体，该多个栅极结构体各自包括层叠在所述半导体层上的第二栅极层，并且在第一方向上布置；多个电极，该多个电极被设置在所述栅极结构体之间；以及介电层，所述介电层被插置在所述栅极结构体与所述电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电容器 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：半导体层，该半导体层包括存储单元区域；存储单元阵列，该存储单元阵列包括层叠在所述半导体层上的多个第一栅极层，并且被设置在所述存储单元区域中；以及电容器电路，该电容器电路被设置在所述存储单元区域外侧的所述半导体层上，所述电容器电路包括：多个栅极结构体，该多个栅极结构体各自包括层叠在所述半导体层上的第二栅极层，并且在第一方向上布置；多个电极，该多个电极被设置在所述栅极结构体之间；以及介电层，所述介电层被插置在所述栅极结构体与所述电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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