[发明专利]一种接触孔的填充方法在审
| 申请号： | 201711131177.5 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107919320A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;刘天建;曾甜;王鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的填充方法，其特征在于，包括步骤S1，提供一晶圆，并于晶圆的表面形成一沟槽；步骤S2，采用一电镀工艺向沟槽中镀金属，使得沟槽的底部生长金属的速度大于沟槽的开口处生长金属的速度，直至金属填满沟槽形成接触孔；其中，电镀工艺中采用一混合剂控制电镀反应，混合剂中平衡剂占混合剂的比例为50％～60％；能够适应大尺寸、高深宽比的接触孔，避免在接触孔的填充过程中形成空隙，形成的器件性能好，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的填充方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一晶圆，并于所述晶圆的表面形成一沟槽；步骤S2，采用一电镀工艺向所述沟槽中镀金属，使得所述沟槽的底部生长所述金属的速度大于所述沟槽的开口处生长所述金属的速度，直至所述金属填满所述沟槽形成接触孔；其中，所述电镀工艺中采用一混合剂控制电镀反应，所述混合剂中平衡剂占所述混合剂的比例为50％～60％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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