[发明专利]一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻挡层底切缺陷的工艺方法

摘要

本专利提供一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻挡层底切缺陷的工艺方法，应用于消除阻挡层底切，包括以下步骤：多晶硅光刻；多晶硅再氧化；阱区光刻；阱区离子注入；氧化层刻蚀；另一阱区光刻；另一阱区离子注入；氧化层刻蚀；整体光刻；整体刻蚀。有益效果：使用多次刻蚀的方法减少了湿法工艺中的负载效应，可以有效解决湿法刻蚀工艺中的底切问题。并且这种方法是借用高压浅掺杂的光罩，不会增加成本。

主权项

一种消除湿法刻蚀金属硅化物阻挡层底切缺陷的工艺方法，应用于消除阻挡层底切，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域上覆盖有第一栅极氧化层，所述第二区域上覆盖有第二栅极氧化层，所述第一栅氧化层与所述第二栅极氧化层存在一第一预定高度差，所述第一栅氧化层与所述第二栅极氧化层上分别形成有栅极，所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层底部部分为后续需形成金属硅化物层的区域；还包括以下步骤：步骤S1，于所述第一栅极氧化层、所述第二栅极氧化层和所述栅极表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于对应所述第一栅极氧化层的预定位置形成工艺窗口；步骤S2，通过所述第一掩膜层对第一栅极氧化层底部有源区进行离子注入，形成第一阱区；步骤S3，通过所述第一掩膜层对所述第一栅极氧化层进行刻蚀，将所述第一预定高度差缩小至第二预定高度差；步骤S4，去除所述第一掩膜层，并于所述第一栅极氧化层、所述第二栅极氧化层和所述栅极表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于一预定位置形成工艺窗口；步骤S5，通过所述第二掩膜层对所述第一栅极氧化层底部有源区进行离子注入，形成第二阱区；步骤S6，通过所述第二掩膜层对所述第一栅极氧化层进行刻蚀，将所述第一预定高度差缩小至所述第二预定高度差；步骤S7，去除所述第二掩膜层，并于所述第一栅极氧化层、所述第二栅极氧化层和所述栅极表面形成一第三掩膜层，图案化所述第三掩膜层，于一预定位置形成工艺窗口；步骤S8，通过所述第三掩膜层对所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层进行同步一体化刻蚀，暴露所述后续需形成金属硅化物层的区域。